机译:通过MOCVD研究在蓝宝石衬底上生长具有不同AlGaN缓冲层的AlInN HEMT结构
机译:通过MOCVD使用部分Mg掺杂GaN缓冲层在Si底物上生长的AlGaN / GaN HEMT的改善电压
机译:使用低温GaNP缓冲层通过MOCVD在沟槽蓝宝石衬底上生长的AlGaN膜
机译:蓝宝石和Si(111)衬底上通过MOCVD生长二维电子气的AlGaN / GaN HEMT结构的电学和光学性质
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:通过MOCVD研究在蓝宝石衬底上生长具有不同AlGaN缓冲层的AlInN HEMT结构
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构